逆变器工作原理图、电路图、作用( 二 ) _知识百科

    pMOET Q1、Q3和Q5高频(HF)切换， Q2、Q4和Q6低频(LF)切换。当一个低频MOSFET处于开状态，而且一个高频MOSFET 处于切换状态时，就会产生一个功率级。

    步骤1) 功率级同时给两个相位供电，而对第三个相位未供电。假设供电相位为L1、L2 ， L3未供电。在这种情况下， MOSFET Q1和Q2处于导通状态，电流流经Q1、L1、L2和Q4 。
    步骤2) MOSFET Q1关断。因为电感不能突然中断电流，它会产生额外电压，直到体二极管D2被直接偏置，并允许续流电流流过。续流电流的路径为D2、L1、L2和Q4 。
    步骤3) Q1打开，体二极管D2突然反偏置。 Q1上总的电流为供电电流与二极管D2上的恢复电流之和。

    显示出其中的体-漏二极管。电流流入到体-漏二极管D2(见图1) ，该二极管被正向偏置，少数载流子注入到二极管的区和P区。
    当MOSFET Q1导通时，二极管D2被反向偏置， N区的少数载流子进入P+体区，反之亦然。这种快速转移导致大量的电流流经二极管，从N-epi到P+区，即从漏极到源极。电感L1对于流经Q2和Q1的尖峰电流表现出高阻抗。 Q1表现出额外的电流尖峰，增加了在导通期间的开关损耗。
    为改善在这些特殊应用中体二极管的性能，研发人员开发出具有快速体二极管恢复特性MOSFET 。当二极管导通后被反向偏置，反向恢复峰值电流Irrm较小。
【逆变器工作原理图、电路图、作用】
            PWM逆变器电路的工作原理

文章插图

电阻R2和电容C1套集成电路内部振荡器的频率。预设R1可用于振荡器的频率进行微调。 14脚和11脚IC内部驱动晶体管的发射极终端。的驱动晶体管(引脚13和12)的集电极终端连接在一起，并连接到8 V轨(7808输出) 。可在IC的引脚14和15两个180度，淘汰50赫兹脉冲列车。
这些信号驱动器在随后的晶体管阶段。当14脚的信号为高电平，晶体管Q2接通，就这反过来又使晶体管Q4 ， Q5 ， Q6点从目前的+12 V电源(电池)连接流一个通过的上半部分(与标签的标记)变压器(T1)中，小学通过晶体管Q4 ， Q5和Q6汇到地面。
因此诱导变压器二次电压(由于电磁感应) ，这个电压220V输出波形的上半周期。在此期间， 11脚低，其成功的阶段将处于非活动状态。当IC引脚 11云高的第三季度结果Q7的获取和交换， Q8和Q9将被打开。从+12 V电源通过变压器的初级下半部和汇到地面通过晶体管的Q7 ， Q8 ， Q9 ，以及由此产生的电压，在T2次级诱导有助于的下半部周期(标签上标明)电流流 220V输出波形。