三极管死区电压和导通电压的区别

【三极管死区电压和导通电压的区别】三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube,一般硅管为0.5V , 锗管是0.1V;而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube,一般硅管为0.6~0.7V,锗管是0.2-0.3V 。