晶闸管双向可控硅控制电烙铁

双向可控硅介绍
双向可控硅是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，是在普通可控硅的基础上发展而成的交流开关器件，其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意，发明于1957年。双向可控硅为单向导电性开关，能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路。可控硅具有导通和关断两种状态，从外形上区分主要有：螺栓形、平板形和平底形三类。
由于双向可控硅特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T;又由于可控硅最初应用于可控整流方面，所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR 。
双向可控硅结构原理图
双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G 。尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。
因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2 。表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1 ，的电压均为正时， T2是阳极， T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时， T1变成阳极， T2为阴极。双向可控硅由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。
相比于单向可控硅，双向可控硅在原理上最大的区别就是能双向导通，不再有阳极阴极之分，取而代之以T1和T2 ，其结构示意图如下图2（a）所示，如果不考虑G级的不同，把它分割成图2（b）所示，可以看出相当于两个单向可控硅反向并联而成，如图2（c）所示连接。

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双向可控硅检测方法
DIP4管脚型ZC三端双向可控硅光电耦合器
利用万用表RXl档判定双向可控硅电极的方法，同时还检查触发能力。
判定T2极
G极与T1极靠近，距T2极较远。因此， G—T1之间的正、反向电阻都很小。在肦Xl档测任意两脚之间的电阻时，只有在G-T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧，而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明，如果测出某脚和其他两脚都不通，就肯定是T2极。另外，采用TO—220封装的双向可控硅， T2极通常与小散热板连通，据此亦可确定T2极。
区分G极和T1极
（1）找出T2极之后，首先假定剩下两脚中某一脚为Tl极，另一脚为G极。
（2）把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路，给G极加上负触发信号，电阻值应为十欧左右，证明管子已经导通，导通方向为T1一T2 。再将红表笔尖与G极脱开（但仍接T2），若电阻值保持不变，证明管子在触发之后能维持导通状态。
双向可控硅相位控制
TRIAC的相位控制与SCR很类似，可用直流信号，交流相位信号与脉波信号来触发，所不同者是V T1-T2负电压时，仍可触发TRIAC 。 TRIAC能双向导通，在正负半周均能触发、可作为全波功率控制之用，因此TRIAC除具有SCR的优点，更方便于交流功率控制。
图（a）为TRIAC相位控制电路，只适当的调整RC时间常数即可改变它的激发角;图（b）、（c）分别是激发角为30度时的VT1-T2及负载的电压波形，一般TRIAC所能控制的负载远比SCR小，大体上而言约在600V、40A以下。

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双向可控硅控制电烙铁
双向可控硅一种新型的电子元件，具有两个反向并联的普通单向可控硅的作月。它的正反向伏安特性比较对称。如图1所示，，图2是它的符号图。
当控被G开路， T2极之间的电塔还没有达到转折电压Uno值时，可控硅呈阻断（不导通）状态，当加在T1、T2上的电压超过其转折电压Ubo时，管子由阻断状态转为导通状态。当管子的导通电流小于管子的维持电流IH值时，可控硅管有恢复到原来的阻断状态。当控制极G上加有触发信号时，管子的转折电压UBO值将大大减小。对于双向可控硅而言，不论加在控制极G上的是正面信号或者反面信号，均能使UBO减小。
利用双向可控硅的这些特性，再加上一个双向触发二极管和几个电阻电容元件，即可组成卷烟几点烙铁发的控制店里，控制电路烙铁两端的电压在零到最大范围（200v）内实行连续无触点调节。
以前我厂曾永国云母片上缠绕烙丝是的卷烟机烙铁，这种受电源电压的影响较大，电压降低时，烙铁温度达不到要求，将烟条烙不敢。搞电压时，又常常将烟烙糊。 80年以来我们厂用单向可控硅电烙铁锻压，使之可调节控制，解决了这种问题，但此种控制电路的单行可控硅易击穿损坏，变压器易烧毁，成本较高，电路也复杂，元器件消耗大，维修也比较麻烦。
我们采用双向可控硅的电烙铁控制电路，降低了成本，减少了元器件，取消了变压器，用一根电阻为80欧的电炉丝和双向可控硅一起串联在220v的电源上，双向可控硅就像一个门一样控制过电炉丝的电流，从而控制了电烙铁的温度。理论计算：

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【晶闸管双向可控硅控制电烙铁】

晶闸管 双向可控硅控制电烙铁

晶闸管双向可控硅控制电烙铁