文章插图
igbt饱和压降是在门极电压驱动下，IGBT工作于饱和区（什么是饱和区请查阅相关资料） ， IGBT集电极（C）与发射极（E）之间的电压差；不同的门极电压对应不同的饱和压降 。
饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标 ， 在门极驱动电压存在的情况下，发生IGBT过流 ， Vce会急剧上升，一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)左右 ， IGBT就会损坏 。
【igbt饱和压降是什么】一般的IGBT驱动保护模块就是通过监控Vce是否大于饱和压降，来实现IGBT过流保护的 。
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igbt饱和压降是在门极电压驱动下，IGBT工作于饱和区（什么是饱和区请查阅相关资料） ， IGBT集电极（C）与发射极（E）之间的电压差；不同的门极电压对应不同的饱和压降 。
饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标 ， 在门极驱动电压存在的情况下，发生IGBT过流 ， Vce会急剧上升，一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)左右 ， IGBT就会损坏 。
【igbt饱和压降是什么】一般的IGBT驱动保护模块就是通过监控Vce是否大于饱和压降，来实现IGBT过流保护的 。