晶闸管可控硅怎么测量好坏，光耦可控硅怎么测量好坏 _经验分享

如何测量可控硅好坏单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。
正、反向电阻值相等或差异极小。
说明可控硅的G、K 。

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可控硅怎么测量好坏可根据判断可控硅控制极（G）与阴极（K或A2）性能的来判断。
根据被检测晶闸管的功率大小，将万用表置于合适的电阻档，小功率的选择×10；大功率选择×100 。
短接两表笔较表，较对万用表指针在“0”的位置。
控制极（G）与。
可控硅怎么测量其好坏?1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。
若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可。

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如何测量可控硅的好坏?【晶闸管可控硅怎么测量好坏，光耦可控硅怎么测量好坏】可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。
对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。
然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明。