IC工艺
    1. 硅集成电路制造工艺主要由哪几个工序组成？
    1) 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上； 2) 掺杂：根据设计的需要 ， 将各种杂质掺杂在需要的位置上 ， 形成晶体管、接触等； 3) 制膜：制作各种材料的薄膜 。
    2. 制版的目的是什么？图形发生器（PG-pattern generator）是做什么用的设备？
    制版是通过图形发生器完成图形的缩小和重复 。 在设计完成集成电路的版图以后 ， 设计者得到的是一组标准的制版数据 ， 将这组数据传送给图形发生器(一种制版设备) ， 图形发生器（PG-pattern generator）根据数据 ， 将设计的版图结果分层的转移到掩模版上(掩模版为涂有感光材料的优质玻璃板) ， 这个过程叫初缩 。
    3. 图形转换工序由哪些步骤组成？
    光刻与刻蚀工艺 。
    4. 为什么说光刻（含刻蚀）是加工集成电路微图形结构的关键工艺技术？光刻工艺包括哪些步骤？
    光刻是加工集成电路微图形结构的关键工艺技术 ， 通常 ， 光刻次数越多 ， 就意味着工艺越复杂 。 另—方面 ， 光刻所能加工的线条越细 ， 意味着工艺线水平越高 。 光刻工艺是完成在整个硅片上进行开窗的工作 。 过程如下：
    1) 打底膜（HMDS粘附促进剂 ， 六甲基乙硅烷(HMDS)） ， 2)涂光刻胶 ，  3) 前烘 ，  4)对版    曝光 ，  5)显影 ，  6)坚膜 ，   7)刻蚀：采用干法刻蚀（Dry Etching） ， 8)去胶：化学方法及干法去胶 。
    5. 说明光刻三要素的含义 。
    光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 。
    6. 正性胶(光致分解)和负性胶(光致聚合)各有什么特点？在VLSI工艺中通常使用那种光刻胶？ AZ-1350 系列是正胶还是负胶？
    正胶：曝光后可溶 ， 负胶：曝光后不可溶 。
    正胶的主要优点是分辨率高 ， 在VLSI工艺中通常使用正胶 。 AZ-1350 系列是正胶 。
    光刻胶-photoresist; 正胶和负胶：positive and negative; 掩膜版-photomask; 光刻机-lithography machine 。
    7.常见的光刻方法有哪几种？接触与接近式光学曝光技术各有什么优缺点？
    1)接触式光刻：分辨率较高 ， 但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤 。
    2)接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25mm) ， 可以大大减小掩膜版的损伤 ， 分辨率较低 。
    3)投影式曝光Stepper：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法 ， 目前用的最多的曝光方式 。
    8. 说明图形刻蚀技术的种类与作用 。
    湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法 。
    干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的 。
    9. 掺杂工艺有几种？为了在N型衬底上获得P型区 ， 需掺何种杂质？为了在P型衬底上获得N型区 ， 需掺何种杂质？热扩散与离子注入工艺各有什么优缺点？