集成电路的基本制造工艺流程
    1. 双极型IC的隔离技术主要有几种类型 。
    pn结隔离和绝缘介质隔离 。
    2. 标准隐埋集电极隔离工艺    SBC—Standard Buried Collector Process
   
    3. pn结隔离技术有何特点？N+埋层扩散起何作用？
    利用反偏pn结的高阻抗特性达到电隔离的目的 。 它要求隔离槽必须接电路最低电位 ， 由于集成电路中的晶体管是三结四层结构 ， 集成电路中各元件的端点都从上表面引出 ， 并在上表面实现互连 ， 为了减小晶体管集电极的串联电阻rCS ， 减小寄生PNP管的影响 ， 在制作元器件的外延层和村底之间需要作N+隐埋层提供IC的低阻通路 。 N+埋层扩散起的作用是：减小集电极串联电阻 ， 减小寄生PNP管的影响 。 为进一步降低集电极串联电阻rCS集电极接触区加磷穿透扩散（应在基区扩散之前进行） 。
    4. 在隔离岛上制作NPN型管的工艺流程最少需几块掩膜版？依工艺顺序写出各掩膜版的名称 。
    最少需六块掩膜版 。
    第一次光刻—N+埋层扩散 ， 第二次光刻—P+隔离扩散 ， 第三次光刻—P型基区扩散 ， 第四次光刻—N+发射区扩散 ， 第五次光刻—引线接触 ， 第六次光刻—金属化内连线：反刻铝 。
    5. 对通隔离技术有何特点？
    对通隔离技术可减小隔离槽的实际宽度 。
    6 . 简述P阱硅栅CMOS工艺流程 ， 每次光刻的目地是什么？
    1、光刻I---阱区光刻 ， 刻出阱区注入孔
    2、阱区注入及推进 ， 形成阱区
    3、去除SiO2 ， 长薄氧 ， 长Si3N4
    4、光II---有源区光刻
    5、光III---N管场区光刻 ， N管场区注入 ， 以提高场开启VTF ， 减少闩锁效应及改善阱的接触 。
    6、长场氧 ， 漂去SiO2 及Si3N4 ， 然后长栅氧化层 。
    7、光Ⅳ---p管场区光刻（用光I的负版） ， p管场区注入 ，  调节PMOS管的开启电压 ， 然后生长多晶硅 。
    8、光Ⅴ---多晶硅光刻 ， 形成多晶硅栅及多晶硅电阻
    9、光Ⅵ---P+区光刻 ， P+区注入 。 形成PMOS管的源、漏区及P+保护环 。
    10、光Ⅶ---N管场区光刻 ， N管场区注入 ， 形成NMOS的源、漏区及N+保护环 。
    11、长PSG（磷硅玻璃） 。
    12、光刻Ⅷ---引线孔光刻 。 PGS回流 。
    13、光刻Ⅸ---引线孔光刻（反刻AL） 。
【IC集成电路基本知识】    14、光刻Ⅹ---压焊块光刻 。