ITO跟LED有什么关系？
ITO是一种透明的电极材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性 。 目前ITO膜主要是为了提高LED的出光效率 。
Burstein－Moss效应是什么？
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Burstein－Moss效应：当半导体重掺杂时，费米能级进入导带，本征光吸收边向高能方向移动的现象 。
在普通掺杂的半导体中，费米能级位于导带与价带之间 。 当n型掺杂浓度上升时，由于电子在导带中集聚，费米能级会慢慢被推到导带之中（可以简单的理解成冰块（费米能级）被增加的水（电子）推到高位） 。
什么是前躯体（precursor）？
前躯体指的是用来合成、制备其他物质的经过特殊处理的配合材料 。
日前中山大学的研究人员发明了一种采用金属有机气相沉积（MOCVD）制备LED结构中氧化铟锡膜（ITO）的工艺，这种方法可以有效的增强UV LED的透明导电特性 。
通常UV LED按照波长分为UVA UVB UVC三种类型 。 目前主要用于水纯净化、生物灭菌消毒、医用诊疗、紫外治疗等领域 。
研究过程
尽管ITO 在可视光谱区域里是一种透明导电层材料，但是对于紫外区域，ITO的透明特性就会逐渐降低 。
因此，中山大学团队设法使用MOCVD技术将光学禁带的宽度拓宽到4．7eV 。 该禁带所激发出的光子波长正好在紫外区域内（364nm） 。
通常UV LED按照波长分为UVA UVB UVC三种类型 。 目前主要用于水纯净化、生物灭菌消毒、医用诊疗、紫外治疗等领域 。
图1 90nm MOCVD工艺ITO膜的光电特性
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（a）锡流速（Sn flow rate）对于电子密度和迁移率的影响
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（b）MOCVD工艺ITO膜中的UV可见光透过率与不同的锡流速 。
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（c）不同工艺下的ITO光学禁带对比
中山大学团队首先在蓝宝石表面使用MOCVD技术（生长环境温度为500°C左右）生长90nm ITO膜，前躯体为三甲基铟（trimethyl indium）、四甲基锡（tetrakis－dimethylamino tin）、以及氧氩混合气体 。 最终所得的材料表面附有类金字塔形状（100）和三角形形状（111）的颗粒 。
经过多次研究实验，研究人员发现前躯体的添加速度控制在每分钟350立方厘米会达到最高的自由电子密度（2．15x1021／cm3） 。 同时，光学禁带宽度会达到4．70eV 。 通常氧化铟（In2O3无前躯体）的电子密度仅仅为1．47x1019／cm3，禁带宽度为3．72eV 。
这种禁带宽度的不同主要来自Burstein－Moss效应的影响，此时部分自由电子集聚于低位导带（co